Name: FGY120T65SPD-F085, БТИЗ транзистор, 120 А, 1.5 В, 882 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
SKU: FGY120T65SPD-F085

FGY120T65SPD-F085, БТИЗ транзистор, 120 А, 1.5 В, 882 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

Подробное описание

Основные
вес, г	0.3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C

2 340 ₽

– +

Бонус: 46.8 !

Бонусная программа

Итого: 2 340 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ ОдиночныеБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3

Основные
вес, г	0.3
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	450
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	FGY120T65S_F085
pd - рассеивание мощности	882 W
другие названия товара №	FGY120T65SPD_F085
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	240 A
ток утечки затвор-эмиттер	+/- 250 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	240 A

Отзывов нет

Кнопки