FGP5N60LS, Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FGP5N60LS
FGP5N60LS, Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 83mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура55 C
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/5A Field Stop Low Vcesat
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки800
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияFGP5N60LS
pd - рассеивание мощности83 W
Вес и габариты
технологияSi
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c10 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль