FGH75T65SQDTL4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FGH75T65SQDTL4
Основные
вес, г6.289
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
1 560
+
Бонус: 31.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
Основные
вес, г6.289
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки450
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияFGH75T65SQDTL4
pd - рассеивание мощности375 W
Вес и габариты
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c150 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль