FGH75T65SQDT-F155, БТИЗ транзистор, траншейного типа, 150 А, 1.6 В, 375 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FGH75T65SQDT-F155
FGH75T65SQDT-F155, БТИЗ транзистор, траншейного типа, 150 А, 1.6 В, 375 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки450
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
pd - рассеивание мощности375 W
Вес и габариты
конфигурацияSingle
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c150 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль