FGH40T65SPD-F085, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FGH40T65SPD-F085
FGH40T65SPD-F085, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
400
+
Бонус: 8 !
Бонусная программа
Итого: 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Field Stop Trench IGBT
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки450
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияFGH40T65SP_F085
pd - рассеивание мощности267 W
другие названия товара №FGH40T65SPD_F085
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.85 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 400 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.40 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль