FGD3N60UNDF

Подробное описание

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

280 ₽

– +

Бонус: 5.6 !

Бонусная программа

Итого: 280 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок	TO-252-3
серия	FGD3N60UNDF
pd - рассеивание мощности	60 W
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.4 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	6 A
ток утечки затвор-эмиттер	10 uA
непрерывный ток коллектора ic, макс.	3 A

Отзывов нет

Кнопки