Name: FGB20N60SF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 208000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
SKU: FGB20N60SF

FGB20N60SF, Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 208000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Подробное описание

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	800

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 20A Field Stop IGBT

Основные
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	800
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок	D2PAK
серия	FGB20N60SF
pd - рассеивание мощности	208 W
Вес и габариты
технология	Si
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	40 A
ток утечки затвор-эмиттер	400 nA

Отзывов нет

Кнопки