FGAF40S65AQ, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 94 Вт, 650 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FGAF40S65AQ
FGAF40S65AQ, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 94 Вт, 650 В, TO-3PF, 3 вывод(-ов)
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
580
+
Бонус: 11.6 !
Бонусная программа
Итого: 580
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FS4 SA IGBT
Основные
вес, г6
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки360
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PF-3
pd - рассеивание мощности94 W
Вес и габариты
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.6 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.80 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль