Name: FGAF40N60SMD, Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
SKU: FGAF40N60SMD

FGAF40N60SMD, Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C

540 ₽

– +

Бонус: 10.8 !

Бонусная программа

Итого: 540 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 80 A 79 W

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	360
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-3PF
серия	FGAF40N60SMD
pd - рассеивание мощности	79 W
Вес и габариты
технология	Si
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.1 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	80 A
ток утечки затвор-эмиттер	400 nA

Отзывов нет

Кнопки