FGA40T65UQDF, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FGA40T65UQDF
FGA40T65UQDF, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 231mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
320
+
Бонус: 6.4 !
Бонусная программа
Итого: 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Field Stop Trench IGBT
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки450
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PN-3
серияFGA40T65UQDF
pd - рассеивание мощности231 W
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.650 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.33 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 400 nA
непрерывный ток коллектора ic, макс.80 A
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль