FGA25S125P-SN00337, Trans IGBT Chip N-CH 1250V 50A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FGA25S125P-SN00337
FGA25S125P-SN00337, Trans IGBT Chip N-CH 1250V 50A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SA2TIGBT TO3PN 25A 1250V
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки450
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PN
серияFGA25S125P
pd - рассеивание мощности250 W
другие названия товара №FGA25S125P_SN00337
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1250 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c50 A
ток утечки затвор-эмиттер500 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль