FF650R17IE4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF650R17IE4
Основные
вес, г849
вид монтажа:Chassis Mount
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 40 C
118 100
+
Бонус: 2362 !
Бонусная программа
Итого: 118 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A
Основные
вес, г849
вид монтажа:Chassis Mount
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 40 C
подкатегория:IGBTs
продукт:IGBT Silicon Modules
производитель:infineon
серия:Trenchstop IGBT4 - E4
тип продукта:IGBT Modules
торговая марка:Infineon Technologies
высота:38 mm
длина:172 mm
размер фабричной упаковки:3
упаковка:Tray
ширина:89 mm
другие названия товара №:SP000614664 FF650R17IE4BOSA1
упаковка / блок:PRIME2
Вес и габариты
коммерческое обозначение:TRENCHSTOP PrimePACK
pd - рассеивание мощности:4.15 kW
технология:Si
конфигурация:Dual
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:1700 V
максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:2.45 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c:930 A
ток утечки затвор-эмиттер:400 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль