FF600R12ME4EB11BOSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF600R12ME4EB11BOSA1
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C
packageTray
64 630
+
Бонус: 1292.6 !
Бонусная программа
Итого: 64 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - ModulesМодуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200V 995A 4050W Модуль для монтажа на шасси
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C
packageTray
package / caseModule
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаPress Fit
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки6
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блок152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageModule
pd - рассеивание мощности20 mW
другие названия товара №SP001671626
base product numberFF600R12 ->
configurationHalf Bridge
Вес и габариты
конфигурацияCommon Emitter
inputStandard
максимальное напряжение затвор-эмиттер15 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.75 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c600 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
current - collector (ic) (max)995A
igbt typeTrench Field Stop
power - max4050W
vce(on) (max) @ vge, ic2.1V @ 15V, 600A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
current - collector cutoff (max)3mA
input capacitance (cies) @ vce37nF @ 25V
ntc thermistorYes
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль