FF600R12KE4EBOSA1
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]](/wa-data/public/shop/products/12/24/202412/images/235829/235829.300x0.jpg "STW9N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500В, 2.2Ом, 8А [TO-247]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
