FF600R12KE4EBOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 600 А, 1.75 В, 1.2 кВ, Modul

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FF600R12KE4EBOSA1
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Основные
вес, г0.36
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки10
42 750
+
Бонус: 855 !
Бонусная программа
Итого: 42 750
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Основные
вес, г0.36
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
другие названия товара №FF600R12KE4_E SP001500374
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль