Name: FF500R17KE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 500 А, 1.95 В, 150 °C, Mod
SKU: FF500R17KE4BOSA1

FF500R17KE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 500 А, 1.95 В, 150 °C, Mod

Подробное описание

Основные
вес, г	0.36
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C

53 460 ₽

– +

Бонус: 1069.2 !

Бонусная программа

Итого: 53 460 ₽

Купить

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM

Основные
вес, г	0.36
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C
package	Tray
package / case	Module
rohs status	ROHS3 Compliant
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	10
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tray
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	Module
series	C ->
другие названия товара №	FF500R17KE4 SP001500362
base product number	FF500R17 ->
configuration	Half Bridge Inverter
Вес и габариты
input	Standard
current - collector (ic) (max)	500A
igbt type	Trench Field Stop
vce(on) (max) @ vge, ic	2.3V @ 15V, 500A
voltage - collector emitter breakdown (max)	1700V
current - collector cutoff (max)	1mA
input capacitance (cies) @ vce	45nF @ 25V
ntc thermistor	No

Отзывов нет

Кнопки