FF450R12ME4EB11, Модуль: IGBT, транзистор/ транзистор,общий эмиттер, IGBT x2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FF450R12ME4EB11BPSA1
FF450R12ME4EB11, Модуль: IGBT, транзистор/ транзистор,общий эмиттер, IGBT x2
Основные
вес, г345
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
packageTray
25 560
+
Бонус: 511.2 !
Бонусная программа
Итого: 25 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Модули IGBTМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Основные
вес, г345
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
packageTray
package / caseModule
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаPress Fit
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки6
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блок152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageModule
seriesEconoDUALв„ў 3 ->
pd - рассеивание мощности20 mW
другие названия товара №SP001671620
base product numberFF450R12 ->
Вес и габариты
конфигурацияCommon Emitter
максимальное напряжение затвор-эмиттер15 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.75 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c450 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль