FF400R12KT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF400R12KT3
Основные
вес, г337
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
44 830
+
Бонус: 896.6 !
Бонусная программа
Итого: 44 830
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A
Основные
вес, г337
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блок62 mm
длина106.4 mm
pd - рассеивание мощности2 kW
другие названия товара №FF400R12KT3HOSA1 SP000100791
Вес и габариты
конфигурацияDual
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c580 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Высота 30.9 мм
Ширина61.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль