FF400R12KE3_B2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF400R12KE3_B2
Основные
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
44 970
+
Бонус: 899.4 !
Бонусная программа
Итого: 44 970
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A
Основные
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блок62 mm
длина106.4 mm
другие названия товара №FF400R12KE3B2HOSA1 SP000092019
Вес и габариты
конфигурацияDual
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c580 A
Высота 30.9 мм
Ширина61.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль