FF300R12KT3

Подробное описание

Основные
вес, г	340
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 125 C

Все характеристики

37 740 ₽

– +

Бонус: 754.8 !

Бонусная программа

Итого: 37 740 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL

Основные
вес, г	340
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 125 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	10
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tray
упаковка / блок	62 mm
длина	106.4 mm
другие названия товара №	FF300R12KT3HOSA1 SP000100790
Вес и габариты
rohs	N
конфигурация	Dual
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	480 A
Высота	30.9 мм
Ширина	61.4 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А [TO-220F]

Быстрый просмотр

FF300R12KT3

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все