FF225R12MS4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF225R12MS4
Основные
вес, г340
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
40 610
+
Бонус: 812.2 !
Бонусная программа
Итого: 40 610
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 275A
Основные
вес, г340
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокEcono D
серияIGBT2 Fast
длина152 mm
коммерческое обозначениеEconoDUAL
другие названия товара №SP000091956 FF225R12MS4BOSA1
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c275 A
Высота 17 мм
Ширина62 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль