FF200R12KE3HOSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF200R12KE3HOSA1
Вес и габариты
вес, г365
Высота 29 мм
Основные
base product numberFF200R12 ->
8 400
+
Бонус: 168 !
Бонусная программа
Итого: 8 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBTкорпус: 62 mm, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. IGBT охватывают ряд силовых модулей, таких как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерыватели PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В. PrimePACK IGBT можно найти в промышленных, коммерческих, строительных и сельскохозяйственных транспортных средствах. Модули N-Channel TRENCHSTOP TM и Fieldstop IGBT подходят для приложений с жестким и мягким переключением, таких как инверторы, ИБП и промышленные приводы.
Вес и габариты
вес, г365
Высота 29 мм
Основные
base product numberFF200R12 ->
число контактов7
configurationSeries
current - collector cutoff (max)5mA
dimensions106.4 x 61.4 x 29mm
длина106.4 mm
другие названия товара №FF200R12KE3HOSA1 SP000100735
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
inputStandard
input capacitance (cies) @ vce14nF @ 25V
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
конфигурацияDual
конфигурация транзистораСерия
length106.4mm
максимальная рабочая температура+ 125 C
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)1200 В
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
максимальное рассеяние мощности1.05 кВт
максимальный непрерывный ток коллектора295 А
maximum continuous collector current295 A
maximum gate emitter voltage±20V
maximum operating temperature+125 °C
maximum power dissipation1.05 kW
минимальная рабочая температура-40 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c200 A
ntc thermistorYes
operating temperature-40В°C ~ 125В°C
packageBulk
package / caseModule
package type62MM Module
pd - рассеивание мощности1.05 kW
подкатегорияIGBTs
power - max1050W
размер фабричной упаковки10
reach statusREACH Unaffected
rohsN
скорость переключения1МГц
страна происхожденияCN
supplier device packageModule
switching speed1МГц
тип каналаN
тип корпусаМодуль 62MM
тип монтажаМонтаж на панель
тип продуктаIGBT Modules
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
торговая маркаInfineon Technologies
transistor configurationСерия
упаковкаTray
упаковка / блокIS5a ( 62 mm )-7
vce(on) (max) @ vge, ic2.15V @ 15V, 200A
вид монтажаChassis Mount
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
Ширина61.4 мм
width61.4mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль