Name: FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150
SKU: FF200R06KE3HOSA1

FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150

Подробное описание

Основные
вес, г	0.1
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)

16 900 ₽

– +

Бонус: 338 !

Бонусная программа

Итого: 16 900 ₽

Купить

Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 600V 260A 680W Модуль для монтажа на шасси

Основные
вес, г	0.1
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	Module
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	Module
series	C ->
base product number	FF200R06 ->
configuration	Half Bridge
Вес и габариты
input	Standard
current - collector (ic) (max)	260A
igbt type	Trench Field Stop
power - max	680W
vce(on) (max) @ vge, ic	1.9V @ 15V, 200A
voltage - collector emitter breakdown (max)	600V
current - collector cutoff (max)	5mA
ntc thermistor	No

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

$Транзистор 9018 \NPN\0,4\TO-92\[KTC/SS]; №SS транз 9018 \NPN\0,4\TO-92\[KTC/SS]$

Быстрый просмотр

FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150