FF150R12KT3G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF150R12KT3G
Основные
вес, г340
package / case62 mm
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
25 510
+
Бонус: 510.2 !
Бонусная программа
Итого: 25 510
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 225A
Основные
вес, г340
package / case62 mm
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 125 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки10
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блок62 mm
серияTrench/Fieldstop IGBT3 - T3
длина106.4 mm
minimum operating temperature-40 C
factory pack quantity10
manufacturerInfineon
maximum operating temperature+125 C
mounting styleChassis Mount
packagingTray
product categoryIGBT Modules
product typeIGBT Modules
subcategoryIGBTs
pd - рассеивание мощности780 W
другие названия товара №SP000100788 FF150R12KT3GHOSA1
configurationDual
Вес и габариты
productIGBT Silicon Modules
технологияSi
конфигурацияDual
part # aliasesFF150R12KT3GHOSA1 SP000100788
technologySi
pd - power dissipation780 W
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c225 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
maximum gate emitter voltage20 V
collector- emitter voltage vceo max1200 V
collector-emitter saturation voltage2.15 V
continuous collector current at 25 c225 A
gate-emitter leakage current400 nA
Высота 30.9 мм
Ширина61.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль