Name: FF1200R17IP5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 1.2 кА, 1.75 В, 175 °C, Module
SKU: FF1200R17IP5PBPSA1

FF1200R17IP5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 1.2 кА, 1.75 В, 175 °C, Module

Подробное описание

Основные
вес, г	20
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)

225 900 ₽

– +

Бонус: 4518 !

Бонусная программа

Итого: 225 900 ₽

Купить

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Основные
вес, г	20
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tray
package / case	Module
rohs status	ROHS3 Compliant
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	3
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tray
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	Trenchstop IGBT5 - P5
supplier device package	Module
коммерческое обозначение	TRENCHSTOP PrimePACK
series	PrimePackв„ў2 ->
другие названия товара №	BSC016N06NSSC SP005346690
base product number	FF1200 ->
configuration	Half Bridge
Вес и габариты
input	Standard
current - collector (ic) (max)	1.2kA
igbt type	Trench Field Stop
power - max	20mW
vce(on) (max) @ vge, ic	2.3V @ 15V, 1200A
voltage - collector emitter breakdown (max)	1700V
current - collector cutoff (max)	10mA
input capacitance (cies) @ vce	68nF @ 25V
ntc thermistor	Yes

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

FF1200R17IP5PBPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 1.2 кА, 1.75 В, 175 °C, Module