FF1200R17IP5PBPSA1
В избранноеВ сравнение

- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Отзывов нет



![BSC160N10NS3GATMA1, Транзистор N-MOSFET 100В 8.8A/42A [PG-TDSON-8-1] BSC160N10NS3GATMA1, Транзистор N-MOSFET 100В 8.8A/42A [PG-TDSON-8-1]](/wa-data/public/shop/products/80/74/27480/images/38067/38067.300x0.jpg)






