FF1200R17IP5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.2 кА, 1.75 В, 175 °C, M

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FF1200R17IP5BPSA1
FF1200R17IP5BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 1.2 кА, 1.75 В, 175 °C, M
Основные
вес, г20
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Модуль IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1700V 1200A Модуль для монтажа на шасси 20 мВт
Основные
вес, г20
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTray
package / caseModule
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageModule
seriesPrimePackв„ў2 ->
base product numberFF1200 ->
configurationHalf Bridge
Вес и габариты
inputStandard
current - collector (ic) (max)1200A
igbt typeTrench Field Stop
power - max20mW
vce(on) (max) @ vge, ic2.3V @ 15V, 1200A
voltage - collector emitter breakdown (max)1700V
current - collector cutoff (max)5mA
input capacitance (cies) @ vce68nF @ 25V
ntc thermistorYes
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль