FF1000R17IE4D_B2
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![Транзистор 2N6038 \NPN\40\TO-126\](/wa-data/public/shop/products/59/82/188259/images/224089/224089.300x0.jpg "Транзистор 2N6038 \NPN\40\TO-126\")
![BCR133E6327HTSA1, Транзистор, NPN Digital, 50В, 0.1А, 0.2Вт, R1=10кОм, R2=10кОм, [SOT-23]](/wa-data/public/shop/products/25/55/185525/images/221704/221704.300x0.jpg "BCR133E6327HTSA1, Транзистор, NPN Digital, 50В, 0.1А, 0.2Вт, R1=10кОм, R2=10кОм, [SOT-23]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
