FF1000R17IE4

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
FF1000R17IE4
Основные
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
162 200
+
Бонус: 3244 !
Бонусная программа
Итого: 162 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.39KA
Основные
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки2
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокPRIME3
длина250 mm
pd - рассеивание мощности6.25 kW
другие названия товара №FF1000R17IE4BOSA1 SP000609592
Вес и габариты
конфигурацияDual
вес, кг1.2
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1700 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.45 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c1390 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
Высота 38 мм
Ширина89 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль