FF1000R17IE4
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.39KA
Отзывов нет
![Транзистор КТ826В, тип NPN, 15 Вт, корпус TO-3 ,[2Т826В]](/wa-data/public/shop/products/83/20/292083/images/336577/336577.300x0.jpg "Транзистор КТ826В, тип NPN, 15 Вт, корпус TO-3 ,[2Т826В]")
![Транзистор КТ315А \NPN\0,15\КТ-13\; транз КТ315А \NPN\0,15\КТ-13\](/wa-data/public/shop/products/81/17/291781/images/336235/336235.300x0.jpg "Транзистор КТ315А \NPN\0,15\КТ-13\; транз КТ315А \NPN\0,15\КТ-13\")
![Транзистор 2SA1268 \PNP\0,3\TO-92\; транз 2SA1268 \PNP\0,3\TO-92\](/wa-data/public/shop/products/69/20/292069/images/336563/336563.300x0.jpg "Транзистор 2SA1268 \PNP\0,3\TO-92\; транз 2SA1268 \PNP\0,3\TO-92\")
