FD450R12KE4PHOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Chopper, 450 А, 1.75 В, 150 °C, Module

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FD450R12KE4PHOSA1
FD450R12KE4PHOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Single Chopper, 450 А, 1.75 В, 150 °C, Module
Основные
вес, г374.7
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C
31 620
+
Бонус: 632.4 !
Бонусная программа
Итого: 31 620
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
Основные
вес, г374.7
moisture sensitivity level (msl)Not Applicable
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C
packageTray
package / caseModule
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаScrew Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки8
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияChopper IGBT4 - E4
supplier device packageAG-62MM-1
seriesC ->
другие названия товара №FD450R12KE4P SP003883520
base product numberFD450R12 ->
configurationSingle Chopper
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
inputStandard
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.75 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c450 A
ток утечки затвор-эмиттер400 nA
current - collector (ic) (max)450A
igbt typeTrench Field Stop
vce(on) (max) @ vge, ic2.15V @ 15V, 450A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
current - collector cutoff (max)5mA
ntc thermistorNo
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль