FD150R12RT4

Подробное описание

Основные
другие названия товара №	FD150R12RT4HOSA1 SP000711858
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C

35 330 ₽

– +

Бонус: 706.6 !

Бонусная программа

Итого: 35 330 ₽

Купить

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A

Основные
другие названия товара №	FD150R12RT4HOSA1 SP000711858
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
минимальная рабочая температура	40 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	150 A
pd - рассеивание мощности	790 W
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	10
тип продукта	IGBT Modules
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tray
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки