Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A
Основные
другие названия товара №
FD150R12RT4HOSA1 SP000711858
категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
минимальная рабочая температура
40 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.15 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c
150 A
pd - рассеивание мощности
790 W
подкатегория
IGBTs
размер фабричной упаковки
10
тип продукта
IGBT Modules
ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка
Tray
вид монтажа
SMD/SMT
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26