F423MR12W1M1B11BOMA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
F423MR12W1M1B11BOMA1
Основные
вес, г24
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTray
36 040
+
Бонус: 720.8 !
Бонусная программа
Итого: 36 040
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые модулиДискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY
Основные
вес, г24
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTray
package / caseModule
вид монтажаScrew Mount
категория продуктаДискретные полупроводниковые модули
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияDiscrete Semiconductor Modules
продуктPower MOSFET Modules
размер фабричной упаковки24
тип продуктаDiscrete Semiconductor Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокAG-EASY1BM-2
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
серияCoolSiC Module
supplier device packageAG-EASY1BM-2
время нарастания8.4 ns
время спада11.5 ns
коммерческое обозначениеCoolSiC ~ EasyPACK ~ PressFIT
pd - рассеивание мощности20 mW
другие названия товара №F4-23MR12W1M1_B11 SP001710600
base product numberF423MR12 ->
configurationFull Bridge
Вес и габариты
конфигурацияFourpack
inputStandard
vf - прямое напряжение4.6 V at 50 A
vr - обратное напряжение1200 V
id - непрерывный ток утечки50 A
rds вкл - сопротивление сток-исток22.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток1200 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V, 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.45 V
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения49.4 ns
типичное время задержки при включении14.3 ns
current - collector (ic) (max)50A
igbt typeTrench
power - max0.2W
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
input capacitance (cies) @ vce3.68nF @ 800V
ntc thermistorYes
ТипCoolSiC MOSFET
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль