F3L75R12W1H3_B27

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
F3L75R12W1H3_B27
Основные
вес, г24
вид монтажаClamp
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
14 540
+
Бонус: 290.8 !
Бонусная программа
Итого: 14 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Основные
вес, г24
вид монтажаClamp
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки24
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаTray
упаковка / блокEasyPack1B
pd - рассеивание мощности275 W
другие названия товара №F3L75R12W1H3B27BOMA1 SP001056132
Вес и габариты
конфигурация3-Phase
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.45 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c45 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль