DF120R12W2H3_B27
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Отзывов нет
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![BCV27, Транзистор NPN Дарлингтона, 40В 0.5А 0.250Вт, [SOT-23]](/wa-data/public/shop/products/72/39/183972/images/220213/220213.300x0.jpg "BCV27, Транзистор NPN Дарлингтона, 40В 0.5А 0.250Вт, [SOT-23]")
![2SD1556, Транзистор, NPN 600В 6А 50Вт [TO-3ML]](/wa-data/public/shop/products/75/54/185475/images/221649/221649.300x0.jpg "2SD1556, Транзистор, NPN 600В 6А 50Вт [TO-3ML]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
