DF100R07W1H5FPB54BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Отзывов нет
![DF100R07W1H5FPB54BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C DF100R07W1H5FPB54BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C](/wa-data/public/shop/products/66/97/139766/images/175050/175050.650x0.jpg)












