DF100R07W1H5FPB53BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C
В избранноеВ сравнение
![DF100R07W1H5FPB53BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C](/wa-data/public/shop/themes/free/img/dummy96.png)
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодуль IGBT Trench Field Stop 2 Независимый модуль для монтажа на шасси 650 В 40 А 20 мВт
Отзывов нет
![FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]](/wa-data/public/shop/products/81/68/196881/images/231707/231707.300x0.jpg "FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]")
