DF100R07W1H5FPB53BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C
В избранноеВ сравнение
![DF100R07W1H5FPB53BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C](/wa-data/public/shop/themes/free/img/dummy96.png)
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодуль IGBT Trench Field Stop 2 Независимый модуль для монтажа на шасси 650 В 40 А 20 мВт
Отзывов нет
![Транзистор КТ502В \PNP\0,35\TO-92\](/wa-data/public/shop/products/33/82/188233/images/224069/224069.300x0.jpg "Транзистор КТ502В \PNP\0,35\TO-92\")
![Транзистор КТ819Б, тип NPN, 60 Вт, корпус TO-3 ,[2Т819Б]](/wa-data/public/shop/products/57/27/292757/images/337622/337622.300x0.jpg "Транзистор КТ819Б, тип NPN, 60 Вт, корпус TO-3 ,[2Т819Б]")
