Name: DF100R07W1H5FPB53BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C
SKU: DF100R07W1H5FPB53BPSA2

DF100R07W1H5FPB53BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C

Подробное описание

Основные
вес, г	1
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C

9 110 ₽

– +

Бонус: 182.2 !

Бонусная программа

Итого: 9 110 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Массивы и МодулиМодуль IGBT Trench Field Stop 2 Независимый модуль для монтажа на шасси 650 В 40 А 20 мВт

Основные
вес, г	1
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C
package	Tray
package / case	Module
rohs status	ROHS3 Compliant
eccn	EAR99
htsus	8541.21.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	Module
series	EasyPACKв„ў ->
base product number	DF100R07 ->
configuration	2 Independent
Вес и габариты
input	Standard
current - collector (ic) (max)	40A
igbt type	Trench Field Stop
power - max	20mW
vce(on) (max) @ vge, ic	1.55V @ 15V, 25A
voltage - collector emitter breakdown (max)	650V
current - collector cutoff (max)	40ВµA
input capacitance (cies) @ vce	2.8nF @ 25V
ntc thermistor	Yes

Отзывов нет

Кнопки