DF1000R17IE4
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1700V 1000A
Отзывов нет
![Транзистор 2SJ6812 \NPN\60\TO-3PF\[FJAF6812]](/wa-data/public/shop/products/50/79/187950/images/223865/223865.300x0.jpg "Транзистор 2SJ6812 \NPN\60\TO-3PF\[FJAF6812]")
![FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]](/wa-data/public/shop/products/60/69/196960/images/231786/231786.300x0.jpg "FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]")
![Транзистор 9013 \NPN\0,625\TO- 92\[KTS/SS]; №SS транз 9013 \NPN\0,625\TO-92\[KTS/SS]](/wa-data/public/shop/products/55/17/291755/images/336208/336208.300x0.jpg "Транзистор 9013 \NPN\0,625\TO- 92\[KTS/SS]; №SS транз 9013 \NPN\0,625\TO-92\[KTS/SS]")
