DD500S33HE3
В избранноеВ сравнение

- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
Отзывов нет




![AO4402G, Транзистор Trench Power MOSFET N-канал 20В 20А 5.9мОм [SOIC-8] AO4402G, Транзистор Trench Power MOSFET N-канал 20В 20А 5.9мОм [SOIC-8]](/wa-data/public/shop/products/50/72/27250/images/37766/37766.300x0.jpg)








