BSM600C12P3G201

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
BSM600C12P3G201
Основные
вид монтажаScrew
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
260 200
+
Бонус: 5204 !
Бонусная программа
Итого: 260 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IGBT Modules 1200V Vdss;576A ID SiC Mod;SICSTD02
Основные
вид монтажаScrew
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки4
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковкаTray
pd - рассеивание мощности1570 W
Вес и габариты
технологияSiC
конфигурацияSingle
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль