BSM150GB120DN2

Подробное описание

Основные
вес, г	363.1
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C

Все характеристики

47 480 ₽

– +

Бонус: 949.6 !

Бонусная программа

Итого: 47 480 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL

Основные
вес, г	363.1
вид монтажа	Chassis Mount
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки	10
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tray
упаковка / блок	Half Bridge2
длина	106.4 mm
pd - рассеивание мощности	1.25 kW
другие названия товара №	SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Half Bridge
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	210 A
ток утечки затвор-эмиттер	320 nA
Высота	30 мм
Ширина	61.4 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки