APTGT50H60T3G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APTGT50H60T3G
Основные
вес, г136.8
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
14 950
+
Бонус: 299 !
Бонусная программа
Итого: 14 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC3041
Основные
вес, г136.8
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageBulk
package / caseSP3
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 100 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаTube
упаковка / блокSP3-32
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSP3
pd - рассеивание мощности176 W
base product numberAPTGT50 ->
configurationFull Bridge Inverter
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияFull Bridge
inputStandard
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c80 A
ток утечки затвор-эмиттер600 nA
current - collector (ic) (max)80A
igbt typeTrench Field Stop
power - max176W
vce(on) (max) @ vge, ic1.9V @ 15V, 50A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
current - collector cutoff (max)250ВµA
input capacitance (cies) @ vce3.15nF @ 25V
ntc thermistorYes
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль