APTGT200TL60G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APTGT200TL60G
Основные
вес, г110
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
49 630
+
Бонус: 992.6 !
Бонусная программа
Итого: 49 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Основные
вес, г110
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 175В°C (TJ)
packageBulk
package / caseSP6
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 100 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокSP6
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSP6
pd - рассеивание мощности652 W
base product numberAPTGT200 ->
configurationThree Level Inverter
Вес и габариты
inputStandard
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c300 A
ток утечки затвор-эмиттер800 nA
current - collector (ic) (max)300A
igbt typeTrench Field Stop
power - max652W
vce(on) (max) @ vge, ic1.9V @ 15V, 200A
voltage - collector emitter breakdown (max)600V
current - collector cutoff (max)350ВµA
input capacitance (cies) @ vce12.2nF @ 25V
ntc thermistorNo
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль