APT85GR120J

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT85GR120J
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
8 810
+
Бонус: 176.2 !
Бонусная программа
Итого: 8 810
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseSOT-227-4, miniBLOC
rohs statusRoHS Compliant
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокISOTOP-4
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageSOT-227
pd - рассеивание мощности595 W
base product numberAPT85GR120 ->
configurationSingle
Вес и габариты
конфигурацияSingle
inputStandard
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c118 A
ток утечки затвор-эмиттер+/- 250 nA
current - collector (ic) (max)116A
igbt typeNPT
power - max543W
vce(on) (max) @ vge, ic3.2V @ 15V, 85A
voltage - collector emitter breakdown (max)1200V
current - collector cutoff (max)1mA
input capacitance (cies) @ vce8.4nF @ 25V
ntc thermistorNo
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль