APT75GN60LDQ3G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT75GN60LDQ3G
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
2 620
+
Бонус: 52.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 620
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаБиполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Transistors
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
длина26.49 mm
pd - рассеивание мощности536 W
диапазон рабочих температур55 C to + 175 C
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.45 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c155 A
ток утечки затвор-эмиттер600 nA
непрерывный коллекторный ток155 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.155 A
Высота 5.21 мм
Ширина20.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль