APT60GF120JRDQ3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT60GF120JRDQ3
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
22 450
+
Бонус: 449 !
Бонусная программа
Итого: 22 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаTube
упаковка / блокISOTOP-4
pd - рассеивание мощности625 W
Вес и габариты
технологияSiC
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер2.5 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c149 A
ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль