APT50GT120JU3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT50GT120JU3
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
6 700
+
Бонус: 134 !
Бонусная программа
Итого: 6 700
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокISOTOP-4
pd - рассеивание мощности347 W
Вес и габариты
конфигурацияSingle
максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.7 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c75 A
ток утечки затвор-эмиттер500 nA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль