APT50GS60BRDQ2G

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

3 360 ₽

– +

Бонус: 67.2 !

Бонусная программа

Итого: 3 360 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	1
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	Microsemi
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
длина	21.46 mm
коммерческое обозначение	Thunderbolt HS
pd - рассеивание мощности	415 W
диапазон рабочих температур	55 C to + 150 C
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.8 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	93 A
ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
непрерывный коллекторный ток	93 A
непрерывный ток коллектора ic, макс.	93 A
Высота	5.31 мм
Ширина	16.26 мм

Отзывов нет

Кнопки